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我国科学家开创第三类存储技术,比U盘快万倍-乐鱼app官网
2021-07-05 [24114]
本文摘要:最近,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队构建了霸权性的二维半导体非易于存储原型设备,开始了第三种存储技术,载入速度比现在的USB慢1万倍,数据存储时间也可以自己决定。

最近,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队构建了霸权性的二维半导体非易于存储原型设备,开始了第三种存储技术,载入速度比现在的USB慢1万倍,数据存储时间也可以自己决定。这解决了国际半导体电荷存储技术中加载速度和非易失性不可兼得的问题。

北京时间4月10日,成果在线公开发表在《自然纳米技术》杂志上。4月11日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏队成员刘春森在实验室内将硅片放入仪器中。

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据了解,目前半导体电荷存储技术主要有两种类型,第一种是不易失性存储,如计算机内存,失电后数据不会立即消失;第二种是所谓的不易失性存储,如人们常用的USB,需要在输入数据后保留10年的额外能量。前者可以在几纳秒左右载入数据,第二种电荷存储技术需要几秒到几十秒来保存数据。本次开发的新型电荷存储技术,不仅符合10纳秒的数据加载速度,还构建了必要时定制(10秒-10年)的可控制数据。

这种新的特性不仅在高速存储器中大幅度减少了存储器的功耗,而且在数据有效期累计后自然消失,在场景中解决了秘密性和传输的对立。4月11日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏队在实验室拍照。新华社记者丁丁法印这项研究创新地自由选择多重二维材料填充包括半浮网结构晶体管:二硫化钼、二硒简化钨、二硫化桉分别作为电源电荷运输和贮藏,氮化硼作为隧道穿层,制作阶梯谷结构的范德瓦尔斯异质结。

自由选择这些二维材料,充分发挥二维材料的丰富性。一部分像笔电源的门,电子容易进出,另一部分像不通风的墙壁,电子不能进出。

加载速度和非易失性的控制在于这两个部分的比例。周鹏说。

4月11日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏队成员刘春森在实验室内对硅片展开电子束光刻和定义图形。载入速度比现在的USB慢1万倍,数据创造时间是内存技术的156倍,具有优异的控制性,可以根据数据有效的时间市场需求设计内存结构……经过测试,研究人员发现这种基于二维材料的新异质结构需要构建新的第三种内存特性科科学研究人员介绍,基于二维半导体的准非易失性存储器可以在大规模制备技术的基础上构筑高密度构筑,在接近低功耗高速存储、数据有效期维度利用等多个领域发挥最重要的作用。该科学突破由复旦大学科研团队独立国家完成,复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室是唯一的单位。此项工作获得国家自然科学基金优秀青年项目和重点研究项目的反对。

4月11日,复旦大学微电子学院教授周鹏教授在硅片上生长金属电极。


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